日盲紫外光（240–280 nm）在太陽(yáng)光譜中幾乎被臭氧層全吸收，因此具備天然低背景噪聲的優(yōu)勢(shì)，在航空、空間偵察、火焰?zhèn)鞲小⒊粞蹩斩幢O(jiān)測(cè)等領(lǐng)域具有不可替代的作用。選取合適的光導(dǎo)材料是研制高性能日盲探測(cè)器的關(guān)鍵。盡管 ZnO、SiC、AlGaN、MgZnO、金剛石等寬帶半導(dǎo)體已被廣泛研究，β-Ga2O3因其超高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)（8 MV cm-1）、化學(xué)穩(wěn)定性及簡(jiǎn)易摻雜調(diào)控而備受關(guān)注。然而，高質(zhì)量、大面積 β-Ga2O3薄膜的可控制備仍面臨“溫度-晶化度-缺陷"三角矛盾：傳統(tǒng)外延或浮區(qū)單晶工藝需 > 1000 ℃，與后端 CMOS、TFT 驅(qū)動(dòng)電路不兼容；磁控濺射或電子束蒸發(fā)雖可低溫成膜，卻常陷入非晶+高氧空位陷阱，導(dǎo)致暗電流大、響應(yīng)慢。如何低溫誘導(dǎo)晶化并同步抑制缺陷，是該領(lǐng)域亟待突破的核心瓶頸。

圖1  摻硅氧化鎵薄膜的特性。（a）制備流程示意圖。（b~d）硅誘導(dǎo)再結(jié)晶過(guò)程示意圖。（e）O-500 的表面及截面形貌。（f）不同退火溫度下，沉積于二氧化硅包覆硅襯底上的摻硅氧化鎵薄膜的 X 射線衍射圖譜。（g）500℃退火條件下氧化鎵薄膜與摻硅氧化鎵薄膜的 X 射線衍射圖譜對(duì)比。（h）X 射線衍射峰的半高全寬。（i）光學(xué)透射光譜。（j）由透射光譜推導(dǎo)的光學(xué)帶隙。

文章采用電子束共蒸發(fā) Ga2O3（99%）與 SiO2（1%）顆粒，在 SiO2/Si 襯底上沉積 200 nm 非晶*驅(qū)層。500 ℃ O2氛圍退火后，AFM與SEM顯示表面均勻分布50-200 nm 納米晶粒；而未摻 Si 樣品在相同溫度下仍保持非晶（XRD 無(wú)衍射峰）。高分辨TEM證實(shí)，Si原子首先與Ga形成 Ga-Si 鍵，降低成核勢(shì)壘；當(dāng)溫度 ≥500 ℃ 時(shí)，Ga-Si 鍵斷裂釋放的能量驅(qū)動(dòng) Ga-O 四配位網(wǎng)絡(luò)重排，形成高結(jié)晶度 β-Ga2O3晶核。XRD 在 17°、30.6°、32.1°、35.5°、64.7° 出現(xiàn)（-201）、（400）、（002）、（111）、（403）特征峰，且（002）峰 FWHM 僅 0.39°，已接近脈沖激光外延水平（0.42°）。EDX 面掃描表明 Si 含量 ≈0.35 at.%，且分布均勻，無(wú)團(tuán)簇分相。

圖2 原始態(tài)、500℃退火及 800℃退火氧化鎵薄膜的 X 射線光電子能譜圖。（a）X 射線光電子能譜。（b~c）Ga2p3/2、Ga2p1/2及 Ga3d 芯能級(jí)譜。（d~f）O1s 芯能級(jí)譜。

高分辨 XPS 將 O 1s 分解為 OI（晶格 O2-，530.7 eV）、OII（氧空位，532.0 eV）、OIII（吸附 OH/H2O，533.0 eV）、OIV（SiO2，533.6 eV）四個(gè)分量。隨退火溫度升高，OII占比由 11.9%（原始生長(zhǎng)態(tài)）降至 8.1%（500 ℃）和 7.6%（800 ℃），直接證明 O 原子外擴(kuò)散填*空位機(jī)制。同時(shí) Ga 2p3/2結(jié)合能向低能端移動(dòng) 0.4 eV，表明 Ga-Si 鍵增強(qiáng)、Ga-O 共價(jià)性提高，導(dǎo)帶尾態(tài)密度降低。紫外--可見(jiàn)透射光譜顯示光學(xué)帶隙由 4.66 eV 增至 4.88 eV，與氧空位濃度變化趨勢(shì)一致，為后續(xù)高抑制比奠定基礎(chǔ)。

圖3 原始態(tài)、500℃退火及 800℃退火氧化鎵光電探測(cè)器的光譜響應(yīng)。（a）摻硅氧化鎵薄膜紫外探測(cè)器的結(jié)構(gòu)示意圖及相應(yīng)的測(cè)試裝置圖。（b~d）不同偏置電壓下測(cè)得的光電探測(cè)器光譜響應(yīng)度。（e~g）光電探測(cè)器的歸一化光譜響應(yīng)度。

圖4 原始態(tài)、500℃退火及 800℃退火氧化鎵光電探測(cè)器的光電探測(cè)性能。（a~c）光電探測(cè)器在暗態(tài)及 254 nm、310 nm、400 nm 光照下的電流 - 電壓曲線（各波長(zhǎng)光功率密度均為 11.5 mW?cm-2）。（d~f）不同入射光功率密度下、254 nm 光照條件下光電探測(cè)器的電流 - 電壓特性。

圖5 原始態(tài)、500℃退火及 800℃退火氧化鎵光電探測(cè)器的時(shí)間響應(yīng)特性。（a~c）10 V 偏置電壓、254 nm光照功率密度為11.5 mW?cm-2條件下光電探測(cè)器的時(shí)間相關(guān)光電流。（d）500℃退火氧化鎵光電探測(cè)器的上升時(shí)間與下降時(shí)間。(e、f)上升時(shí)間與下降時(shí)間的統(tǒng)計(jì)分析。

Ti/Au 叉指電極（間距50μm，有效面積5×10-4cm2）器件在20 V偏壓下，500℃ 樣品254 nm 響應(yīng)度高達(dá)5.4 A/W，比原始生長(zhǎng)態(tài)提升4個(gè)數(shù)量級(jí)；暗電流僅8.6×10-14A，對(duì)應(yīng)探測(cè)率D* = 7.3×1014Jones。歸一化光譜顯示FWHM窄至40 nm，R254nm/R400nm 抑制比2.1×109，優(yōu)于多數(shù)高溫磁控器件（107量級(jí)）。時(shí)間分辨光電流表明，500℃ 樣品跌落時(shí)間 t_fall ≈ 99 ms，遠(yuǎn)快于傳統(tǒng)非晶 Ga2O3（~150 ms），且 250 s 連續(xù)照射波動(dòng) < 3%，顯示高穩(wěn)定性。作者進(jìn)一步指出，通過(guò)優(yōu)化膜厚與異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，響應(yīng)度仍有1–2個(gè)數(shù)量級(jí)提升空間。

本文中使用的光電測(cè)試系統(tǒng)是卓立漢光公司的DSR300光電探測(cè)器光譜響應(yīng)度標(biāo)定系統(tǒng)。DSR300光電探測(cè)器光譜響應(yīng)度標(biāo)定系統(tǒng)結(jié)合了北京卓立漢光儀器有限公司給多家科研單位定制的光譜響應(yīng)系統(tǒng)的特點(diǎn)和經(jīng)驗(yàn)，采用國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量方法進(jìn)行全自動(dòng)測(cè)試，是光電器件、光電轉(zhuǎn)換材料的光譜響應(yīng)性能研究的必*工具。

結(jié)論

本工作提出"Si 誘導(dǎo)低溫再結(jié)晶"新機(jī)制，僅 500 ℃ 即可實(shí)現(xiàn)高結(jié)晶度、低氧空位、納米級(jí)晶粒的 Si:Ga2O3薄膜，兼顧了大面積均勻性與后端 CMOS/TFT 兼容性。所制日盲紫外探測(cè)器在20 V低偏壓下同時(shí)實(shí)現(xiàn) 5.4 A/W 響應(yīng)度、3.6×108開(kāi)關(guān)比、7.3×1014Jones 探測(cè)率與 2.1×109抑制比，綜合性能超越多數(shù)高溫工藝器件。該策略為柔性紫外成像、主動(dòng)矩陣焦平面及低功耗物聯(lián)網(wǎng)傳感節(jié)點(diǎn)提供了可擴(kuò)展、低成本的材料技術(shù)路線。

通訊作者及其團(tuán)隊(duì)介紹

陳軍，南開(kāi)大學(xué)（學(xué)士）；中山大學(xué)（碩士，博士）。研究領(lǐng)域?yàn)檎婵瘴⒓{電子器件，研究方向包括大面積納米冷陰極電子源，納米冷陰極發(fā)光、顯示、X射線源和探測(cè)器件。在電子科學(xué)與技術(shù)、光學(xué)工程、集成電路工程等專業(yè)招收碩士或博士研究生。主持國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目，主持完成國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃（973）項(xiàng)目子課題、國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃（863計(jì)劃）課題、國(guó)家自然科學(xué)杰出基金、國(guó)家自然科學(xué)基金等科研項(xiàng)目。

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本研究采用的是北京卓立漢光儀器有限公司DSR300光電探測(cè)器光譜響應(yīng)度標(biāo)定系統(tǒng)。如需了解該產(chǎn)品，歡迎咨詢。

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